APTGT100A120D1G
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
MODUŁ IGBT 1200V 150A 520W D1
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
150 A
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
Wyroby masowe
Zestaw:
-
Opakowanie / Pudełko:
D1
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2,1 V przy 15 V, 100 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
D1
Mfr:
Firma Mikrosemi
Temperatura pracy:
-
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
3mA
Typ IGBT:
Przystanek pola okopowego
Moc — maks:
520 W
Wpływ:
Standardowy
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
7 nF przy 25 V
konfiguracja:
Pół mostu
Termistor NTC:
- Nie, nie.
Wprowadzenie
Moduł IGBT Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 150 A 520 W Podwozie zamontowane D1
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: