PTF210101M V1
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
GOLDMOS®
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
PG-RFP-10
Napięcie — test:
28 V
Mfr:
Technologie Infineon
Częstotliwość:
2,17 GHz
Zyski:
15dB
Opakowanie / Pudełko:
10-TFSOP, 10-MSOP (0,118", 3,00 mm szerokości)
Bieżący — Test:
180 mA
Moc - Wyjście:
10w
technologii:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
1µA
Wprowadzenie
RF Mosfet 28 V 180 mA 2,17 GHz 15 dB 10 W PG-RFP-10
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: