PTFA181001EV4R250XTMA1
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
H-36248-2
Napięcie — test:
28 V
Mfr:
Technologie Infineon
Częstotliwość:
1,88 GHz
Zyski:
16,5dB
Opakowanie / Pudełko:
2-płaskie opakowanie, przewody płetwowe
Bieżący — Test:
750 mA
Moc - Wyjście:
100w
technologii:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
1µA
Numer produktu podstawowego:
PTFA181001
Wprowadzenie
RF Mosfet 28 V 750 mA 1,88 GHz 16,5 dB 100W H-36248-2
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: