BLF6G22LS-180PN,11
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Rurka
konfiguracja:
Podwójne, wspólne źródło
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
SOT502B
Napięcie — test:
32 V
Mfr:
Ampleon USA Inc.
Częstotliwość:
2,11 GHz ~ 2,17 GHz
Zyski:
17,5 dB
Opakowanie / Pudełko:
SOT-502B
Bieżący — Test:
1,6 A
Moc - Wyjście:
50 W
technologii:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
BLF6G22
Wprowadzenie
RF Mosfet 32 V 1,6 A 2,11 GHz ~ 2,17 GHz 17,5 dB 50W SOT502B
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: