PTFA043002E V1
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
H-30275-4
Napięcie — test:
32 V
Mfr:
Technologie Infineon
Częstotliwość:
800MHz
Zyski:
16dB
Opakowanie / Pudełko:
2-płaskie opakowanie, przewody płetwowe
Bieżący — Test:
1,55 A
Moc - Wyjście:
100w
technologii:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
10µA
Wprowadzenie
RF Mosfet 32 V 1,55 A 800MHz 16dB 100W H-30275-4
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: