PDTC115ES,126
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory Bipolarne (BJT) Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane t
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
20mA
Status produktu:
Nieprzydatne
Typ tranzystora:
NPN — wstępne uprzedzenie
Rodzaj montażu:
Przez dziurę
Pakiet:
Taśma i pudełko (TB)
Zestaw:
-
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic:
150mV przy 250µA, 5mA
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
50 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
TO-92-3
Rezystor - Baza (R1):
100 kiloomów
Mfr:
USA Inc.
Rezystor – podstawa emitera (R2):
100 kiloomów
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
1µA
Moc — maks:
500 mW
Opakowanie / Pudełko:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formowane przewody
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
80 @ 5mA, 5V
Numer produktu podstawowego:
PDTC115
Wprowadzenie
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 20 mA 500 mW przez otwór TO-92-3
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: