UNR411400A
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory Bipolarne (BJT) Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane t
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
100 mA
Status produktu:
Nieprzydatne
Typ tranzystora:
PNP – wstępnie obciążony
Częstotliwość - Przejście:
80MHz
Rodzaj montażu:
Przez dziurę
Pakiet:
Taśma cięta (CT) Taśma i pudełko (TB)
Zestaw:
-
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic:
250mV przy 300µA, 10mA
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
50 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
NS-B1
Rezystor - Baza (R1):
10 kiloomów
Mfr:
Komponenty elektroniczne Panasonic
Rezystor – podstawa emitera (R2):
47 kiloomów
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
500nA
Moc — maks:
300 mW
Opakowanie / Pudełko:
3-SIP
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
80 @ 5mA, 10V
Numer produktu podstawowego:
UNR411
Wprowadzenie
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 80 MHz 300 mW przez otwór NS-B1
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: