MRF6V10250HSR3
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
FET RF 100 V 1,09 GHz NI780S
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
100 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
NI-780S
Napięcie — test:
50 V
Mfr:
USA Inc.
Częstotliwość:
1,09 GHz
Zyski:
21dB
Opakowanie / Pudełko:
NI-780S
Bieżący — Test:
250 mA
Moc - Wyjście:
250 W
technologii:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
MRF6
Wprowadzenie
RF Mosfet 50 V 250 mA 1,09 GHz 21 dB 250 W NI-780S
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: