PTFA092211FLV4XWSA1
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
IC FET RF LDMOS
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
H-34288-2
Napięcie — test:
30 V
Mfr:
Technologie Infineon
Częstotliwość:
920 MHz ~ 960 MHz
Zyski:
18dB
Opakowanie / Pudełko:
2-płaskie, przewody żeberkowe, kołnierzowe
Bieżący — Test:
175 mA
Moc - Wyjście:
50 W
technologii:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Wprowadzenie
RF Mosfet 30 V 175 mA 920 MHz ~ 960 MHz 18 dB 50 W H-34288-2
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: