BLF8G27LS-100PU
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
RF FET LDMOS 65 V 18DB SOT1121B
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Płytka
konfiguracja:
Podwójne, wspólne źródło
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
LDMOST
Napięcie — test:
28 V
Mfr:
Ampleon USA Inc.
Częstotliwość:
2,5 GHz ~ 2,7 GHz
Zyski:
18dB
Opakowanie / Pudełko:
SOT-1121B
Bieżący — Test:
860 mA
Moc - Wyjście:
25 W
technologii:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
BLF8G27
Wprowadzenie
RF Mosfet 28 V 860 mA 2,5 GHz ~ 2,7 GHz 18dB 25W LDMOST
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: