TAV-551+
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — znamionowe:
5 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
1,7dB
Zestaw urządzeń dostawcy:
FG873
Napięcie — test:
3 V
Mfr:
Miniobwody
Częstotliwość:
6 GHz
Zyski:
16,3dB
Opakowanie / Pudełko:
4-SMD, bez ołowiu
Bieżący — Test:
15 mA
Moc - Wyjście:
20,1 dB
technologii:
E-pHEMT
Prąd znamionowy (ampery):
-
Wprowadzenie
RF Mosfet 3 V 15 mA 6GHz 16,3 dB FG873
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: