RF5L08350CB4
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
400 W, 50 V, 0,4 DO 1 GHz RF POW
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
110 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
B4E
Napięcie — test:
50 V
Mfr:
STMikroelektronika
Częstotliwość:
1 GHz
Zyski:
19dB
Opakowanie / Pudełko:
B4E
Bieżący — Test:
200 mA
Moc - Wyjście:
400 W
technologii:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
1µA
Wprowadzenie
RF Mosfet 50 V 200 mA 1 GHz 19 dB 400 W B4E
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: