NE3515S02-T1C-A
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
SUPER NISKI poziom hałasu PSEUDOMORFIC HJ
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — znamionowe:
4 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
0,3dB
Zestaw urządzeń dostawcy:
4-Mikro-X
Napięcie — test:
2 V
Mfr:
CEL
Częstotliwość:
12 GHz
Zyski:
12,5 dB
Opakowanie / Pudełko:
4-Mikro-X
Bieżący — Test:
10 mA
Moc - Wyjście:
-
technologii:
HFET
Prąd znamionowy (ampery):
88mA
Wprowadzenie
RF Mosfet 2 V 10 mA 12 GHz 12,5 dB 4-Micro-X
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: