CGH21120F
Opis:
120 W, GAN HEMT, 28 V, 1,8–2,1 GHz,
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
84 V
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
GaN
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
440162
Napięcie — test:
28 V
Mfr:
Wolfspeed spółka z ograniczoną odpowiedzialnością
Częstotliwość:
1,8 GHz ~ 2,3 GHz
Zyski:
15dB
Opakowanie / Pudełko:
440162
Bieżący — Test:
500 mA
Moc - Wyjście:
120 W
technologii:
HEMT
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
CGH21120
Wprowadzenie
RF Mosfet 28 V 500 mA 1,8 GHz ~ 2,3 GHz 15dB 120W 440162
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: