TAV1-331+
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
RF MOSFET D-PHEMT 4V TE2769
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — znamionowe:
5 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
1dB
Zestaw urządzeń dostawcy:
TE2769
Napięcie — test:
4 V
Mfr:
Miniobwody
Częstotliwość:
4 GHz
Zyski:
24,6 dB
Opakowanie / Pudełko:
4-SMD, bez ołowiu
Bieżący — Test:
60 mA
Moc - Wyjście:
21,3 dBm
technologii:
D-pHEMT
Prąd znamionowy (ampery):
228mA
Wprowadzenie
RF Mosfet 4 V 60 mA 4GHz 24,6dB 21,3dBm TE2769
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: