UNR92AVG0L
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory Bipolarne (BJT) Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane t
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
80 mA
Status produktu:
Nieprzydatne
Typ tranzystora:
NPN — wstępne uprzedzenie
Częstotliwość - Przejście:
150MHz
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Zestaw:
-
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic:
250 mV @ 1,5 mA, 10 mA
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
50 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
SSMini3-F3
Rezystor - Baza (R1):
2,2 kOhm
Mfr:
Komponenty elektroniczne Panasonic
Rezystor – podstawa emitera (R2):
2,2 kOhm
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
500nA
Moc — maks:
125 mW
Opakowanie / Pudełko:
SC-89, SOT-490
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
6 przy 5 mA, 10 V
Numer produktu podstawowego:
UNR92A
Wprowadzenie
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 150 MHz 125 mW Nawierzchnia SSMini3-F3
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: