GTVA311801FA-V1
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
180 W GAN HEMT, 50 V, 2,7–3,1 GHz
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — znamionowe:
50 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Zestaw:
GaN
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
H-37265J-2
Mfr:
Wolfspeed spółka z ograniczoną odpowiedzialnością
Częstotliwość:
2,7 GHz ~ 3,1 GHz
Zyski:
15dB
Opakowanie / Pudełko:
H-37265J-2
Moc - Wyjście:
180 W
technologii:
HEMT
Prąd znamionowy (ampery):
-
Wprowadzenie
RF Mosfet 2,7 GHz ~ 3,1 GHz 15 dB 180 W H-37265J-2
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: