3SK293 ((TE85L,F)
Specyfikacje
				
						Kategoria:
						
																				Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
					
						Status produktu:
						
																				Nie dla nowych wzorów
					
						Rodzaj montażu:
						
																				Powierzchnia
					
						Napięcie — znamionowe:
						
																				12,5 V
					
						Pakiet:
						
																				Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
					
						konfiguracja:
						
																				Podwójna bramka N-kanałowa
					
						Zestaw:
						
																				-
					
						Rysunek hałasu:
						
																				2,5dB
					
						Zestaw urządzeń dostawcy:
						
																				USQ
					
						Napięcie — test:
						
																				6 V
					
						Mfr:
						
																				Toshiba półprzewodniki i magazyny
					
						Częstotliwość:
						
																				800MHz
					
						Zyski:
						
																				22dB
					
						Opakowanie / Pudełko:
						
																				SC-82A, SOT-343
					
						Bieżący — Test:
						
																				10 mA
					
						Moc - Wyjście:
						
																				-
					
						technologii:
						
																				MOSFET
					
						Prąd znamionowy (ampery):
						
																				30MA
					
						Numer produktu podstawowego:
						
														3SK293
					Wprowadzenie
				
						RF Mosfet 6 V 10 mA 800 MHz 22 dB USQ
					                            
                      					
				Wyślij zapytanie ofertowe
				
							Magazyn:
							
						
							            							 
                                        In Stock
                                        							        							    							        							    							        							    														
						
							MOQ:
							
							            							    							        							    							        							    							        							    														
						
					

 
        ![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)