PTFA092211ELV4XWSA1
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
FET RF LDMOS 220 W H33288-2
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
H-33288-2
Napięcie — test:
30 V
Mfr:
Technologie Infineon
Częstotliwość:
940 MHz
Zyski:
18dB
Opakowanie / Pudełko:
H-33288-2
Bieżący — Test:
1,75 A
Moc - Wyjście:
220 W
technologii:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Wprowadzenie
RF Mosfet 30 V 1,75 A 940MHz 18dB 220W H-33288-2
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: