F3L15MR12W2M1B69BOMA1
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
NISKA MOC ŁATWA
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
75 A
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
EasyPACK™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
-
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
AG-EASY2BM-2
Mfr:
Technologie Infineon
Temperatura pracy:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Moc — maks:
20 mW
Typ IGBT:
Rów
Opakowanie / Pudełko:
Moduł
Wpływ:
Standardowy
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
5,52 nF przy 800 V
konfiguracja:
Trójpoziomowy falownik
Termistor NTC:
- Tak, proszę.
Numer produktu podstawowego:
F3L15MR12
Wprowadzenie
Moduł IGBT Trench Trzypoziomowy Inwerter 1200 V 75 A 20 mW Podwozie AG-EASY2BM-2
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: