PDTC114YQAZ
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory Bipolarne (BJT) Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane t
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
100 mA
Status produktu:
Aktywny
Typ tranzystora:
NPN — wstępne uprzedzenie
Częstotliwość - Przejście:
230MHz
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
Motoryzacja, AEC-Q101
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic:
100mV przy 250µA, 5mA
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
50 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
DFN1010D-3
Rezystor - Baza (R1):
10 kiloomów
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Rezystor – podstawa emitera (R2):
47 kiloomów
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
1µA
Moc — maks:
280 mW
Opakowanie / Pudełko:
Odsłonięta podkładka 3-XDFN
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
100 @ 5 mA, 5 V
Numer produktu podstawowego:
PDTC114
Wprowadzenie
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 MHz 280 mW Nawierzchnia DFN1010D-3
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: