RN1111MFV,L3F
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0,1A VESM
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory Bipolarne (BJT) Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane t
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
100 mA
Status produktu:
Aktywny
Typ tranzystora:
NPN — wstępne uprzedzenie
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Zestaw:
-
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic:
300mV przy 250µA, 5mA
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
50 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
VESM
Rezystor - Baza (R1):
10 kiloomów
Mfr:
Toshiba półprzewodniki i magazyny
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
100nA (ICBO)
Moc — maks:
150 mW
Opakowanie / Pudełko:
SOT-723
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
120 @ 1 mA, 5 V
Numer produktu podstawowego:
RN1111
Wprowadzenie
Transistor dwubiegunowy (BJT) NPN - 50 V 100 mA 150 mW
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: