MAGX-003135-120L00

Opis:
FET RF 65 V 3,5 GHz
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Wyroby masowe
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
-
Napięcie — test:
50 V
Mfr:
Rozwiązania technologiczne MACOM
Częstotliwość:
3,1 GHz ~ 3,5 GHz
Zyski:
11,2 dB
Opakowanie / Pudełko:
-
Bieżący — Test:
300 mA
Moc - Wyjście:
120 W
technologii:
HEMT
Prąd znamionowy (ampery):
9mA
Wprowadzenie
RF Mosfet 50 V 300 mA 3,1 GHz ~ 3,5 GHz 11,2 dB 120 W
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: