PDTD123YT/APGVL
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
PDTD123YT/APGVL
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory Bipolarne (BJT) Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane t
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
500 mA
Status produktu:
Nieprzydatne
Typ tranzystora:
NPN — wstępne uprzedzenie
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Wyroby masowe
Zestaw:
PDTD123Y
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic:
300 mV przy 2,5 mA, 50 mA
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
50 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
TO-236AB
Rezystor - Baza (R1):
2,2 kOhm
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Rezystor – podstawa emitera (R2):
10 kiloomów
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
500nA
Moc — maks:
250 mW
Opakowanie / Pudełko:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
70 @ 50mA, 5V
Numer produktu podstawowego:
PDTD123
Wprowadzenie
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 250 mW Nawierzchnia TO-236AB
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: