BLF248,112
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
RF FET 2 NC 65 V 11,5 dB SOT262A1
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Płytka
konfiguracja:
2 kanały N (podwójne) Wspólne źródło
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
CDFM4
Napięcie — test:
28 V
Mfr:
Ampleon USA Inc.
Częstotliwość:
225MHz
Zyski:
11,5dB
Opakowanie / Pudełko:
SOT-262A1
Moc - Wyjście:
300 W
technologii:
MOSFET
Prąd znamionowy (ampery):
25A
Wprowadzenie
RF Mosfet 28 V 225MHz 11,5 dB 300W CDFM4
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: