BLF6G10LS-260PRN,1
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
RF FET LDMOS 65 V 22DB SOT539B
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
konfiguracja:
Podwójne, wspólne źródło
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
SOT539B
Napięcie — test:
28 V
Mfr:
Ampleon USA Inc.
Częstotliwość:
917,5 MHz ~ 962,5 MHz
Zyski:
22dB
Opakowanie / Pudełko:
SOT-539B
Bieżący — Test:
1,8 A
Moc - Wyjście:
40 W
technologii:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
64A
Numer produktu podstawowego:
BLF6G10
Wprowadzenie
RF Mosfet 28 V 1,8 A 917,5 MHz ~ 962,5 MHz 22 dB 40 W SOT539B
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: