BLF6G27L-50BN,112
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Opis:
RF FET LDMOS 65 V 16DB SOT1112A
Kategoria:
Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Na stanie:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Sposób wysyłki:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Płytka
konfiguracja:
Podwójne, wspólne źródło
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
CDFM6
Napięcie — test:
28 V
Mfr:
Ampleon USA Inc.
Częstotliwość:
2,5 GHz ~ 2,7 GHz
Zyski:
16,5dB
Opakowanie / Pudełko:
SOT-1112A
Bieżący — Test:
430 mA
Moc - Wyjście:
3W
technologii:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
BLF6G27
Wprowadzenie
RF Mosfet 28 V 430 mA 2,5 GHz ~ 2,7 GHz 16,5 dB 3W CDFM6
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: